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可降低高固态照明成本的硅替代方案

电子设计 ? 2019-03-20 08:26 ? 次阅读

当今高亮度LED的主导技术是蓝宝石或碳化硅(SiC)基板上的氮化镓(GaN)。这些材料很受欢迎,因为合成的LED明亮,高效,并且使用寿命长。然而,这些芯片很难制造并封装成可用的器件,从而使用它们作为光引擎的最终产品的成本倍增。虽然近年来价格大幅下跌,但LED照明的购买成本仍然远高于传统替代品。这一初始费用被认为是减缓固态照明(SSL)接受度的一个主要因素。

一批先锋制造商一直在努力通过更换蓝宝石来降低大功率LED的成本,具有硅(Si)的SiC衬底,该材料通常用于制造大多数电子芯片(“IC”)。主要优势在于极低成本的晶圆供应以及使用折旧的8英寸晶圆厂进行LED制造的机会。这些概念相结合,可以大幅降低LED价格,克服消费者的反对意见。

最初,技术挑战限制了GaN-on-Si LED的性能,使其对主流照明没有吸引力。现在,一些制造商,特别是东芝,推出了新一代的这些LED,并以极具竞争力的价格大幅提升了性能,使其成为许多应用中传统设备的可行替代品。

本文回顾了开发硅基板LED,描述了最新一代的商用设备。

降低LED的成本

虽然需要花费数年时间和数百万美元的R& D资金,现代化当考虑初始购买价格,能耗和寿命等因素来确定“拥有成本”时,LED是用于主流照明的传统光源(如白炽灯泡,荧光灯管和卤素灯)的经济型替代品。

分析师麦肯锡公司最近的一份报告 1 公司得出结论,到2016年(取决于LED的价格持续下降的速度),与紧凑型荧光灯(CFL)相比,LED灯具的投资回报(由于运行成本更低,寿命更长)将抵消最初的更高购买价格在1.7到3。9年之间。 2011年的相应计算得出了大约14年的数字。 (图1)

可降低高固态照明成本的硅替代方案

图1:住宅区LED灯泡与CFL灯泡的投资回收期(暗线代表基本情况,较轻线代表更快的LED价格侵蚀)。 (由McKinsey& Company提供)

不幸的是,同一份报告的结论是,尽管2015年照明应用中LED的市场份额攀升至45%左右,“LED照明产品的价格溢价仍然存在在考虑对普通照明应用进行初期投资时,最初的购买价格对决策者来说是一个重大障碍。“

考虑到像飞利浦这样的LED灯更换时,这种沉默也许并不令人惊讶。 W(白炽灯)等效PAR38 LED灯泡的零售价为22美元,相比同一公司的100 W等效T2 Twister CFL为12美元,相当于100 W等效EcoSmart卤素灯泡为6美元。

LED成本的关键因素灯泡是LED芯片本身。每个LED灯泡通常包括六个,八个或十个LED芯片的阵列,每个LED芯片在复杂的晶片制造工艺中由特殊材料制成,然后以三步或四步组装操作昂贵地封装。用更便宜的替代品取代材料和制造成本将大大降低LED的初始购买价格,从而促进更快速的采用。

硅替代方案

电子革命建立在硅片上;一种稳定,廉价,丰富的半导体,易于生长成晶体,切割成晶圆,并采用CMOS工艺将每个晶圆转变为数千个IC。此外,在晶圆厂大量投资以大规模生产此类芯片,将单位成本降低至仅为美分。

最近,芯片制造商已采用更高效的晶圆制造工艺,采用12英寸(300毫米)晶圆作为原材料,取代了旧的8英寸(200毫米)晶圆。因此,全球有超过8英寸的容量,一些人认为可以转向LED制造,大大降低了最终产品的价格。

大多数现代LED都是由GaN的组合,其特征在于在蓝宝石衬底上具有适合于在光谱的可见部分发射光子的带隙。 GaN薄膜通过称为外延的工艺生长,其通过在衬底上沉积连续层来建立LED的有源区。一个缺点是GaN和蓝宝石衬底之间的晶格间距(晶体结构中的各个原子之间的单位距离)之间的不匹配,这导致有源区域中的微观缺陷。这些缺陷,也称为穿透位错,都会影响LED的发光度和寿命。

SiC具有与蓝宝石更紧密匹配的晶体结构,降低了缺陷密度,提高了效率和寿命。至少一个,有时两个数量级。 (参见TechZone文章“材料和制造改进提高LED效率。”)

蓝宝石和SiC不仅生产成本高,而且难以在大于4英寸(100毫米)的晶圆上可靠地制造直径。除了更便宜和更容易使用外,8英寸硅晶片的加工时间仅比4英寸的晶圆要长一些。最终结果是工厂的生产量可以翻两番(8英寸晶圆的表面积是4英寸晶圆的4倍(图2),同时削减了材料和加工成本。

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可降低高固态照明成本的硅替代方案

图2:2英寸,4英寸,6英寸和8英寸晶圆的比较。

然而,切换到硅作为基板对于LED来说,存在着巨大的技术挑战,其中最主要的是硅的晶体结构与GaN的偏差甚至比蓝宝石更糟糕。更糟糕的是,硅与GaN的热膨胀系数差别很大。这两个因素导致严重在制造过程中,拉伸应力被加入到晶圆中,随着晶圆冷却,导致微裂纹。如果有的话,裂纹LED的功能很差。更糟糕的是,硅是一种非常好的光子吸收体,它应该逃逸并有助于LED的发光度因此,早期GaN-on-Si LED的光提取率为其四分之一到三分之一来自蓝宝石上的同类器件(参见TechZone文章“硅衬底将LED照明推向主流吗?”)

一些先锋公司坚持他们的开发计划,而GaN-on-Si LED仍然落后于蓝宝石上GaN或on-SiC LED的发光度,功效和长寿命,今天的实验台上的器件不会受到早期器件性能不佳的影响,而且成本只是其成本的一小部分。常规LED。

第二代硅

随着传统LED的稳步改进(同时减少了匹配单个白炽灯或荧光灯泡输出所需的LED数量)新的市场为“中档”LED开辟了新的市场。中档芯片无法与当今高端设备的性能相媲美,而是以预算价格提供合理的性能(例如,提供相当于两三年前顶级规格芯片的亮度和寿命)(参见TechZone文章) “中功率LED为照明应用提供了更便宜的替代方案”。)

中档市场的增长为GaN-on-Si芯片开辟了机会。今天的硅基板LED的性能很容易与中等蓝宝石上GaN或碳化硅上的相匹配,同时削弱了后者的价格。

东芝(最初与Bridgelux合资,但是后来买下了合作伙伴在该合资企业中的份额)是供应GaN-on-Si LED的商业领跑者之一。

东芝对于如何解决GaN和Si之间晶格和热失配的技术难题并且几乎没有公开声明是可以理解的,但在被收购之前,Bridgelux确实揭示了“拉伸”使用专有缓冲层(在GaN和硅之间)解决了应变问题。“

有关东芝研究的更多信息可在科学论文中找到。 2006年2月发表的一个例子 2 描述了东芝研究人员如何通过使用“立方SiC”作为中间层来抑制通常困扰硅上GaN外延的裂纹产生。立方SiC的晶格常数约为GaN和硅之间的一半,有助于减轻原本会产生的应力,并导致GaN和硅的邻接层之间产生裂缝。

研究人员报告称,1μm层在传统的8英寸硅晶片上面的SiC足以抑制有源GaN层中的裂缝。虽然比在“裸”硅上沉积GaN稍贵,但该工艺仍然比制造蓝宝石或SiC晶圆便宜得多,因为它仍然建立在廉价的硅制造工艺之上。

东芝也声称其GaN -on-Si工艺有助于直接从晶圆生产大型“体积发射”单LED芯片,而无需经过传统的LED组装工艺(图3)。这种技术的优点是可以节省更多成本,单个LED可以与日益流行的板上芯片(CoB)阵列竞争 - 这些产品包含预先组装成一个单元的多个传统LED(参见TechZone文章“The Rise of板上芯片LED模块“)。

可降低高固态照明成本的硅替代方案

图3:东芝的GaN-on-Si工艺使封装的体积发射器LED能够直接切割来自晶圆,无需经过传统的包装工艺 3 。 (由Toshiba提供)

可用产品

东芝于2012年底首次推出一系列GaN-on-Si产品.TL1F1 1 W LED交付112 lm(功效112 lm)/W,电压为2.9 V,电流为350 mA),用于冷白(5000 K)设备。

十个月后,该公司宣布修订范围(TL1L3系列) - 最新的商业产品,可提供135 lm(135 lm/W,2.85 V,350 mA)。然后,在2015年初,该公司发布了TL1L4系列的样品量,它声称其性能比上一代GaN-on-Si器件高出60%。顶级产品是1 W,冷白色(5000 K,显色指数(CRI)70)产品,可提供160 lm(160 lm/W,2.8 V,350 mA)。其他型号可在2700至6500 K的温度范围内使用。芯片采用3.5 x 3.5 mm封装(图4)。

可降低高固态照明成本的硅替代方案

图4:Si LED上的TL1L4系列GaN承诺从3.5 x 3.5 mm封装的160 lm。

TL1L4系列的性能与批量生产的高端传统产品相当,例如Cree的XLamp XM-L2(155 lm/W,2.85 V,700 mA)和OSRAM的OSLON Square(163 lm)/W,3.05 V,700 mA)。东芝的产品实际上提供比具有价格竞争力的中档设备更好的性能,如Cree的Xlamp MX-3S(85 lm/W,10.7 V,115 mA)和Philips Lumileds的Luxeon 3535L(121 lm/W,3.05 V,100 mA)只有当芯片的结温保持在150°C以下时,TL1L4产品才能以1 A或甚至1.5 A的正向电流工作,从而获得更高的发光度(以降低功效为代价)。

东芝解释说,TL1L4系列的性能水平使其适用于主流照明应用,如家用筒灯,路灯和泛光灯。

补充技术

目前,照明消耗的能源约占全球能源的19%。据估计,大规模采用LED将使其减少四分之三,因为它们具有更高的效率。虽然价格自然会继续下降,但像东芝那样高性能但成本相对较低的GaN-on-Si LED的供应有望加速这一过程,并使照明工程师能够提供SSL解决方案,以克服消费者对高初始值的反对意见购买价格。

这种替代技术不可能超越当代高端设备;但它确实提供了现有技术的补充 - 专利问题 - 可以被其他公司接收,产生竞争,推动价格更低,并增加SSL在照明市场的份额。

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来自台湾工商时报的消息称,华为去年智能型手机年度出货量超越苹果并突破2亿支,今年又将推出四镜头、折迭....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 03-20 17:02 ? 1430次 阅读
华为将加大对台积电的订单量,有望超过苹果成为台积电最大的7nm客户

关于AWE2019:康佳电视推Micro LED概念机

这款Micro LED技术概念机Mini LED TV采用巨量转移技术Mini LED背光、147%....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 03-20 16:02 ? 491次 阅读
关于AWE2019:康佳电视推Micro LED概念机

隆达推出最新车用LED矩阵式光源模块 将打造更安全的用路环境

继2018年发表一系列LED车灯模块后,近日,LED垂直整合厂隆达再推出最新车用LED矩阵式光源模块....
发表于 03-20 15:26 ? 116次 阅读
隆达推出最新车用LED矩阵式光源模块 将打造更安全的用路环境

光磊表示今年将着墨利基型市场 营运可望回温

在发光元件产品部分,台LED晶粒厂光磊指出,去年四元产品单季逐季下修,今年将着墨利基型市场,朝长波长....
发表于 03-20 15:22 ? 127次 阅读
光磊表示今年将着墨利基型市场 营运可望回温

苹果官网进行更新悄悄地推出了两款新品:新款 iPad Air 和 iPad mini

相比老款的 iPad Pro 10.5,虽然新款 iPad Air 在处理器上有较大升级,但是也有不....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 03-20 09:27 ? 866次 阅读
苹果官网进行更新悄悄地推出了两款新品:新款 iPad Air 和 iPad mini

TT Electronics Optek 为缩短备货期专门设计的光纤发射器

TT Electronics——全球性能关键型应用工程电子产品供应商在 850nm LED 技术的基....
的头像 人间烟火123 发表于 03-19 17:22 ? 974次 阅读
TT Electronics Optek 为缩短备货期专门设计的光纤发射器

LT3746 具降压型控制器的 32 通道、20mA LED 驱动器

和特点 6V 至 55V 电源输入电压范围 32 个独立的 LED 输出高达 30mA/13V 6 位点校正电流调节 12 位灰度等级 PWM 调光 0.5μs 最小 LED 导通时间 用于实现高效率的自动调整 LED 总线电压 可级联的 30MHz 串行数据接口 完备的诊断及保护功能:个别的 LED 开路 / 短路和过热故障 产品详情 LT?3746 集成了一个 32 通道 LED 驱动器及一个 55V 降压型控制器。LED 驱动器每个通道可点亮高达 30mA/13V 的串联 LED,而降压型控制器则产生了一个自适应的总线电压,用于给并联的 LED 串供电。每个通道具有单独的 6 位点校正电流调节和 12 位灰度等级 PWM 调光能力。点校正及灰度等级均可通过 TTL / CMOS 逻辑电路中的一个串行数据接口获得。LT3746 可提供针对 LED 开路 / 短路及过热故障的全面诊断和保护功能。故障状态通过串行数据接口回送。30MHz 全缓冲、转换速率平衡、可级联的串行数据接口使得该芯片极其适合于大屏幕 LCD 的动态背面照明以及单彩色、多彩色和全彩色 LED 显示器。应用 大屏幕 LED 显示器的背面照明 单彩色、多彩色和全彩色 LED 显示器 LED 广告牌和布告板 方框图...
发表于 02-22 12:20 ? 0次 阅读
LT3746 具降压型控制器的 32 通道、20mA LED 驱动器

LT3956 80VIN、80VOUT 恒定电流、恒定电压转换器

和特点 3000:1 True Color PWM? 调光 宽输入电压范围:4.5V 至 80V 输出电压高达 80V 内部 3.3A/84V 开关 恒定电流和恒定电压调节 250mV 高端电流检测 可以采用升压、降压模式、降压-升压模式、SEPIC 或反激式拓扑结构来驱动 LED 可调频率:100kHz 至 1MHz 开路 LED保护 具迟滞的可编程欠压闭锁 恒定电压环路状态引脚 PWM 断接开关驱动器 CTRL 引脚负责调节高端电流检测门限 低停机电流:<1μA 可编程软起动 采用 36 引脚 (5mm x 6mm) QFN 封装 产品详情 LT?3956 是一款 DC/DC 转换器,专为充当一个恒定电流源和恒定电压调节器而设计。它非常适合于驱动大电流 LED。该器件具有一个内部低端 N 沟道功率 MOSFET,此 MOSFET 的额定规格针对 84V/3.3A 而拟订,并从一个内部已调 7.15V电源来驱动。固定频率、电流模式架构在一个很宽的电源和输出电压范围内实现了稳定的操作。一个参考于地的电压 FB 引脚用作多个 LED 保护功能电路的输入,而且还使转换器能够起一个恒定电压源的作用。一个频率调节引脚允许用户在 100kHz 至 1MHz 的范围内设置频率,旨在优化效率、性能或外部组件尺...
发表于 02-22 12:19 ? 0次 阅读
LT3956 80VIN、80VOUT 恒定电流、恒定电压转换器

LTC3450 用于小型 TFT-LCD 显示器的三输出电源

和特点 可生成三种电压:????? 5.1V/10μA????? –5V,–10V 或 –15V/500μA????? 10V 或 15V/500mA 效率高于 90% 低输出纹波:小于 5mVP-P 组件高度仅 1mm 的完整解决方案 受控上电排序:AVDD / VGL / VGH 所有输出在停机状态下均被断接并自动放电 低噪声固定频率操作 用于在消隐模式中获得高效率的降频输入 超低静态电流:在扫描模式中为 75μA (典型值) 采用 3mm×3mm 16 引脚 QFN 封装 产品详情 LTC?3450 是一款用于小型薄膜晶体管 (TFT) 液晶显示 (LCD) 屏的完整功率转换器解决方案。该器件可采用单节锂离子电池、两节至三节碱性电池输入或任何在 1.5V 至 4.6V 之间的电压源来运作。   这款同步升压型转换器可生成一个低噪声、高效率的 5.1V、10mA 电源。内部充电泵用于生成 10V、15V 和 –5V、–10V 或 –15V 电压。对输出排序进行内部控制以确保 LCD 屏的正确初始化。   一个主控停机输入将静态电流减小至2μA以下,并对每个输出进行快速放电以实现 LCD 屏的迅速关断。LTC3450采用一种扁平的(最大高度仅 0.8mm) 3mm×3mm 16 引脚 QFN 封装,从而极大地减小了解决方案的高度和...
发表于 02-22 12:19 ? 31次 阅读
LTC3450 用于小型 TFT-LCD 显示器的三输出电源

HMC655-DIE 固定、6 dB无源衰减器芯片,DC - 50 GHz

和特点 宽带宽: DC - 50 GHz 9款衰减器产品:固定电平:0、2、3、4、6、10、15和20 dB 功率处理: +25 dBm HMC651和HMC658裸片尺寸: 0.57 x 0.45 x 0.1 mm HMC650, HMC652, HMC653, HMC654,?HMC655, HMC656 和HMC657裸片尺寸: 0.42 x 0.45 x 0.1 mm产品详情 HMC650/651/652/653/654/655/656/657/658是一系列宽带固定值50 Ω匹配衰减器芯片,提供0、2、3、4、6、10、15和20 dB相对衰减电平。 这些无源旋转器和衰减器非常适合需要极端平坦衰减和出色的VSWR与频率关系的微带、混合及多芯片模块应用。 宽带衰减器采用低电感片内过孔,无需额外的接地连接。 HMC650至HMC658背面镀金,适合共晶或环氧树脂芯片贴装。 所有9款产品均可通过相应的产品型号单独购买,或购买HMC-DK006固定衰减器芯片设计套件(含10件)。应用 光纤产品 微波无线电 军事和太空混合器件 测试与测量 科研仪器 RF/微波电路原型制作 方框图...
发表于 02-22 12:18 ? 18次 阅读
HMC655-DIE 固定、6 dB无源衰减器芯片,DC - 50 GHz

HMC365-DIE InGaP HBT 4分频芯片,DC - 13 GHz

和特点 超低SSB相位噪声: -151 dBc/Hz 宽带宽 输出功率: 5 dBm 单直流电源: +5V 小尺寸: 1.30 x 0.69 x 0.1 mm 产品详情 HMC365是低噪声的4分频静态分频器,使用InGaP GaAs HBT技术,拥有1.30 x 0.69 mm的小巧尺寸。此器件在DC(使用方波输入)至13 GHz的输入频率下工作,使用+5V DC单电源。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-151 dBc/Hz,有助于用户保持良好的系统噪声性能。 应用 卫星通信系统 光纤产品 点对点无线电 点对多点无线电 VSAT方框图...
发表于 02-22 12:17 ? 9次 阅读
HMC365-DIE InGaP HBT 4分频芯片,DC - 13 GHz

HMC-ABH209 中等功率放大器芯片,55 - 65 GHz

和特点 输出IP3: +25 dBm P1dB: +16 dBm 增益: 13 dB 电源电压: +5V 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 2.2 x 1.22 x 0.1 mm 产品详情 THMC-ABH209是一款高动态范围、两级GaAs HEMT MMIC中等功率放大器,工作频率范围为55至65 GHz。 HMCABH209提供13 dB增益,采用+5V电源电压时具有+16 dBm输出功率(1dB压缩)。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,放大器已完全钝化以实现可靠操作。 /p>HMC-ABH209 GaAs HEMT MMIC中等功率放大器兼容传统的芯片贴装方式,以及热压缩和热超声线焊工艺,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境下使用RF探头接触测得。 应用 短程/高容量链路 无线LAN网桥 军事和太空 方框图...
发表于 02-22 12:15 ? 0次 阅读
HMC-ABH209 中等功率放大器芯片,55 - 65 GHz

HMC-AUH320 中等功率放大器芯片,71 - 86 GHz

和特点 增益: 16 dB (76 GHz) P1dB: +15 dBm 电源电压: +4V 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 2.20 x 0.87 x 0.1 mm 产品详情 HMC-AUH320是一款高动态范围的四级GaAs HEMT MMIC中等功率放大器,在71至86 GHz的频率下工作。 HMC-AUH320在74 GHz频率下提供16 dB的增益,在1 dB压缩点提供+15 dBm的输出功率,采用+4V电源电压。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,放大器器件已完全钝化以实现可靠操作。 HMC-AUH320 GaAs HEMT MMIC中等功率放大器可兼容常规的芯片贴装方法,以及热压缩和热超声线焊,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。 应用 短程/高容量链路 无线LAN网桥 汽车雷达 军事和太空 E波段通信系统 方框图...
发表于 02-22 12:15 ? 0次 阅读
HMC-AUH320 中等功率放大器芯片,71 - 86 GHz

HMC562 宽带驱动放大器芯片,2 - 35 GHz

和特点 P1dB输出功率: +12 dBm 增益: 12.5 dB 输出IP3: +19 dBm 电源电压: +8V (80 mA) 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸:3.12 x 1.42 x 0.1 mm 产品详情 HMC562是一款GaAs MMIC PHEMT分布式驱动放大器裸片,在2至35 GHz的频率下工作。 该放大器提供12.5 dB增益,+27 dBm输出IP3和12 dBm输出功率(1 dB增益压缩),功耗为80 mA(采用+8V电源)。 HMC562非常适合EW、ECM和雷达驱动放大器应用。 HMC562放大器I/O是隔直的,内部匹配50 Ω阻抗,方便集成到多芯片模块(MCM)。 所有数据均由通过最短0.31mm (12 mil)的两条0.075mm (3 mil)线焊带连接的芯片获取。应用 军事和太空 测试仪器仪表 光纤产品 方框图...
发表于 02-22 12:15 ? 0次 阅读
HMC562 宽带驱动放大器芯片,2 - 35 GHz

HMC-ALH376 低噪声放大器芯片,35 - 45 GHz

和特点 噪声系数: 2 dB 增益: 16 dB (40 GHz) P1dB输出功率: +6 dBm 电源电压: +4V (87 mA) 裸片尺寸: 2.7 x 1.44 x 0.1 mm 产品详情 HMC-ALH376是一款GaAs MMIC HEMT三级、自偏置、低噪声放大器芯片,工作频率范围为35至45 GHz。该放大器提供16 dB增益、2 dB噪声系数和+6 dBm输出功率(1 dB增益压缩),采用+4V单电源时功耗仅为87 mA。由于尺寸较小(3.9 mm2),这款自偏置LNA适合集成到混合组件或多芯片模块(MCM)中。 应用 点对点无线电 点对多点无线电 测试设备和传感器 军事和太空 方框图...
发表于 02-22 12:14 ? 0次 阅读
HMC-ALH376 低噪声放大器芯片,35 - 45 GHz

HMC519-DIE GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器芯片,18 - 32 GHz

和特点 噪声系数: 2.8 dB 增益: 15 dB OIP3: 23 dBm 单电源: +3V (65 mA) 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 2.27 x 1.32 x 0.1 mm 产品详情 HMC519是一款高动态范围GaAs PHEMT MMIC低噪声放大器芯片,工作频率范围为18至32 GHz。 HMC519提供15 dB小信号增益、2.8 dB噪声系数及高于23 dBm的输出IP3。 由于尺寸较小,该芯片可轻松集成到混合组件或多芯片模块(MCM)中。 所有数据均采用50 ohm测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.075 mm (3 mil)、最小长度0.31 mm (12 mil)的焊线连接。 也可用两根直径为0.025mm (1 mil)的焊线进行RFIN和RFOUT连接。 应用 点对点无线电 点对多点无线电和VSAT 测试设备和传感器 军事和太空 方框图...
发表于 02-22 12:14 ? 21次 阅读
HMC519-DIE GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器芯片,18 - 32 GHz

HMC-ALH508 低噪声放大器芯片,71 - 86 GHz

和特点 噪声系数: <5 dB P1dB: +7 dBm 增益: 13 dB 电源电压: +2.4V 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 3.2 x 1.6 x 0.1 mm 产品详情 HMC-ALH508是一款三级GaAs HEMT MMIC低噪声放大器(LNA),工作频率范围为71至86 GHz。 HMC-ALH508具有13 dB小信号增益、4.5 dB噪声系数和+7 dBm输出功率(1 dB压缩),分别采用2.1V和2.4V两个电源电压。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,放大器已完全钝化以实现可靠操作。 这款多功能LNA兼容传统的芯片贴装方式以及热压缩和热超声线焊工艺,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境下使用RF探头接触测得。 应用 短程/高容量链路 无线局域网(LAN) 汽车雷达 军事和太空 E波段通信系统 方框图...
发表于 02-22 12:13 ? 0次 阅读
HMC-ALH508 低噪声放大器芯片,71 - 86 GHz

AD847 高速、低功耗、单芯片运算放大器

和特点 出众的性能高单位增益带宽:50 MHz低电源电流:5.3 mA高压摆率:300 V/μs出色的视频特性驱动任何容性负载快速的0.1%建立时间(10 V步进):65 ns出色的直流性能5.5 V/mV高开环增益(PLOAD = 1 kΩ)低输入失调电压:0.5 mV额定工作电压:±5 V和±15 V提供多种选择塑料DIP和SOIC封装Cerdip封装裸片形式MIL-STD-883B工艺卷带和卷盘(EIA-481A标准)提供双通道版本:AD827(8引脚)LM6361的增强替代产品 产品详情 AD847代表高速放大器的一个突破,实现了低成本、低功耗的出众交流和直流性能。出色的直流性能表现在它±5 V的规格值,包括3500 V/V的开环增益(500Ω负载)和0.5 mV的低输入失调电压。共模抑制最低为78 dB。输出电压摆幅为±3 V(负载低至150Ω)。ADI公司还提供其他超过30种高速放大器,从低噪声AD829(1.7nV/√Hz)到终极的视频放大器AD811(差分增益0.01%,差分相位0.01°)。 方框图...
发表于 02-22 12:12 ? 0次 阅读
AD847 高速、低功耗、单芯片运算放大器

HMC-ALH216 低噪声放大器芯片,14 - 27 GHz

和特点 噪声系数: 2.5 dB (20 GHz) 增益: 18 dB P1dB输出功率: +14 dBm 电源电压: +4V (90 mA) 裸片尺寸: 2.25 x 1.58 x 0.1 mm 产品详情 HMC-ALH216是一款GaAs MMIC HEMT宽带低噪声放大器芯片,工作频率范围为14至27 GHz。该放大器提供18 dB增益、2.5 dB噪声系数和+14 dBm输出功率(1 dB增益压缩),采用+4V电源电压时功耗仅为90 mA。由于尺寸较小,HMC-ALH216放大器适合集成到多芯片模块(MCM)中。应用 点对点无线电 点对多点无线电 军事和太空 测试仪器仪表 方框图...
发表于 02-22 12:08 ? 0次 阅读
HMC-ALH216 低噪声放大器芯片,14 - 27 GHz

HMC396 InGaP HBT增益模块放大器芯片,DC - 8 GHz

和特点 增益: 12 dB P1dB输出功率: +14 dBm 稳定的温度增益 50 Ohm I/O 小尺寸: 0.38 x 0.58 x 0.1 mm 产品详情 HMC396芯片是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)增益模块MMIC DC至8 GHz放大器。 此款放大器可用作级联50 Ohm增益级或用于驱动输出功率高达+16 dBm的HMC混频器LO。 HMC396提供12 dB的增益,+30 dBm的输出IP3,同时仅需+5V电源提供56 mA电流。 所用的达林顿反馈对可降低对正常工艺变化的敏感度,提供出色的温度增益稳定性,只需极少的外部偏置元件。 由于尺寸较小(0.22mm2),HMC396可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 所有数据均采用50 ?测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.025mm (1 mil)、最小长度为0.5mm (20 mils)的焊线连接。 应用 微波和VSAT无线电 测试设备 军用EW、ECM、C3I 空间电信方框图...
发表于 02-22 12:07 ? 20次 阅读
HMC396 InGaP HBT增益模块放大器芯片,DC - 8 GHz

HMC-APH196 中等功率放大器芯片,17 - 30 GHz

和特点 输出IP3: +31 dBm P1dB: +22 dBm 增益: 20 dB (20 GHz) 电源电压: +4.5V 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 3.3 x 1.95 x 0.1 mm 产品详情 HMC-APH196是一款两级GaAs HEMT MMIC中等功率放大器,工作频率范围为17至30 GHz。 HMC-APH196在20 GHz下提供20 dB增益,采用+4.5V电源电压时具有+22 dBm输出功率(1 dB压缩)。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,放大器已完全钝化以实现可靠操作。 HMC-APH196 GaAs HEMT MMIC中等功率放大器兼容传统的芯片贴装方式,以及热压缩和热超声线焊工艺,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境下使用RF探头接触测得。 应用 点对点无线电 点对多点无线电 VSAT 军事和太空 方框图...
发表于 02-22 12:07 ? 0次 阅读
HMC-APH196 中等功率放大器芯片,17 - 30 GHz

HMC-ABH241 中等功率放大器芯片,50 - 66 GHz

和特点 输出IP3: +25 dBm P1dB: +17 dBm 增益: 24 dB 电源电压: +5V 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 3.2 x 1.42 x 0.1 mm 产品详情 THMC-ABH241是一款四级GaAs HEMT MMIC中等功率放大器,工作频率范围为50至66 GHz。 HMC-ABH241提供24 dB增益,采用+5V电源电压时具有+17 dBm输出功率(1dB压缩)。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,放大器已完全钝化以实现可靠操作。 HMC-ABH241 GaAs HEMT MMIC中等功率放大器兼容传统的芯片贴装方式,以及热压缩和热超声线焊工艺,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境下使用RF探头接触测得。 应用 短程/高容量链路 无线LAN网桥 军事和太空 方框图...
发表于 02-22 12:07 ? 0次 阅读
HMC-ABH241 中等功率放大器芯片,50 - 66 GHz

HMC-MDB277 DBL-BAL混频器芯片,70 - 90 GHz

和特点 宽IF带宽: DC - 18 GHz 无源双平衡拓扑结构 LO输入功率: +14 dBm 裸片尺寸: 1.55 x 1.4 x 0.1 mm 产品详情 HMC-MDB277是一款无源双平衡MMIC混频器,采用GaAs异质结双极性晶体管(HBT)肖特基二极管技术,可用作上变频器或下变频器。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,Shottky器件已完全钝化以实现可靠操作。 HMC-MDB277双平衡混频器可兼容常规的芯片贴装方法,以及热压缩和热超声线焊,非常适合MCM和混合微电路应用。 这款紧凑型MMIC可以取代混合型双平衡式混频器,而且体积要小得多,性能更加稳定。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。 应用 短程/高容量无线电 FCC E波段通信系统 汽车雷达 传感器 测试和测量设备 方框图...
发表于 02-22 12:07 ? 17次 阅读
HMC-MDB277 DBL-BAL混频器芯片,70 - 90 GHz

ADM691A 微处理器电源监控器,内置备用电池切换、可调复位周期与可调看门狗周期、芯片使能信号、看门狗、备用电池功能和4.65V阈值电压、低VCC状态输出、250MA输出电流特性

和特点 低功耗 精密电压监控器 ADM800L/M容差:±2% 复位时间延迟:200 ms或可调 待机电流:1 μA 备用电池电源自动切换 芯片使能信号快速片内选通 同时提供TSSOP封装(ADM691A)产品详情 ADM691A/ADM693A/ADM800L/ADM800M系列监控电路均为完整的单芯片解决方案,可实现微处理器系统中的电源监控和电池控制功能。这些功能包括微处理器复位、备用电池切换、看门狗定时器、CMOS RAM写保护和电源故障警告。该系列产品是MAX691A/93A/800M系列的升级产品。所有器件均提供16引脚DIP和SO封装。ADM691A同时提供节省空间的TSSOP封装。主要提供下列功能:启动、关断和掉电情况下的上电复位输出。即使VCC低至1 V,电路仍然可以工作。CMOS RAM、CMOS微处理器或其它低功耗逻辑的备用电池切换。如果可选的看门狗定时器在指定时间内未切换,则提供复位脉冲。1.25 V阈值检波器,用于电源故障警告、低电池电量检测或+5 V以外电源的监控。 方框图...
发表于 02-22 12:06 ? 0次 阅读
ADM691A 微处理器电源监控器,内置备用电池切换、可调复位周期与可调看门狗周期、芯片使能信号、看门狗、备用电池功能和4.65V阈值电压、低VCC状态输出、250MA输出电流特性

LT3597 60V、三通道降压型 LED 驱动器

和特点 三个 100mA 降压型稳压器,每个通道可利用快速 NPN 电流源来驱动多达 10 个 LED 适合于 <1μs 脉冲宽度的快速电流源 (在 100Hz 频率条件下提供 10,000 : 1 True Color PWM? 调光) 在停机模式中断接 LED 用于提升效率的自适应 VOUT控制 6V 至 60V 输入电压范围准确度达 ±2% 的 LED 电流匹配外部电阻器用于设定每个通道的 LED 电流内部补偿和软起动 可编程开关频率 (200kHz 至 1MHz)可同步至外部时钟开路 LED 检测和报告 短路 LED 引脚保护和报告 可编程 LED 热降额 可编程温度保护 具 0.6mm 高电压引脚间距的 5mm x 8mm 耐热性能增强型 QFN 封装产品详情 LT?3597 是一款 60V、三通道降压型 LED 驱动器,能够在 100Hz 频率条件下实现 10,000 : 1 的数字 PWM 调光,并可在每个通道中运用快速 NPN 电流源来驱动多达 10 个 LED。另外,也可以利用 CTRL1-3 引脚的模拟控制来实施 LED 调光操作。降压开关频率可在 200kHz 至 1MHz 之间进行设置。该频率也可以同步至一个外部时钟。LT3597 还在遵循制造商拟订的热降额规格的同时提供了最大 LED 亮度。降额温度通过在主控制引脚上布设一个负...
发表于 02-22 12:04 ? 0次 阅读
LT3597 60V、三通道降压型 LED 驱动器

MAT14 匹配单芯片四通道晶体管

和特点 低失调电压:400 μV(最大值) 高电流增益:300(最小值) 出色的电流增益匹配度:4%(最大值) 低电压噪声密度(100 Hz、1 mA):3 nV/√Hz(最大值) 出色的对数一致性:体电阻 rBE = 0.6 Ω (最大值) 所有晶体管保证匹配产品详情 MAT14是一款四通道单芯片NPN型晶体管,具有出色的参数匹配性能,适合精密放大器和非线性电路应用。MAT14的性能特征包括:在很宽的集电极电流范围内提供高增益(最小300)、低噪声(在100 Hz、IC = 1 mA条件下最大值为3 nV/√Hz)以及出色的对数一致性。失调电压典型值低至100 μV,精密电流增益匹配度可达4%以内。MAT14的每个晶体管均经过独立测试,符合数据手册性能规格。为使参数匹配(失调电压、输入失调电流和增益匹配),双晶体管组合中的每个晶体管均经过验证,达到了规定的限制要求。在25°C的环境温度和工业温度范围内保证器件性能。匹配参数的长度稳定性由各晶体管基极-发射极结上的保护二极管保证。这些二极管能够防止反向偏置基极-发射极电流导致β和匹配特性下降。MAT14的出色对数一致性和精确匹配特性使它非常适合用于对数和反对数电路。MAT14是需要低噪声和高增益的应用的理想选...
发表于 02-22 12:01 ? 30次 阅读
MAT14 匹配单芯片四通道晶体管
香港马会044期35期36期37期特码