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UnitedSiC宣布推出适用大型反激式AC-DC的SiC JFET晶片

2019年03月20日 09:19 ? 次阅读

2019年3月19日,美国加州Anaheim应用电源电子会议(APEC),美国新泽西州普林斯顿 --- 碳化硅(SiC)功率半导体制造商UnitedSiC宣布已经推出一系列适用于与具备内置低压MOSFET的控制器IC共同封装的SiC JFET晶片,由此可制造出速度极快,基于共源共栅的20~100W反激式产品。这些常导通型SiC JFET的工作电压范围为650~1700V,可帮助实现简化的启动方案,具有零待机功耗,是大型反激式AC-DC应用市场的理想选择,其中包括消费类电子适配器和辅助电源等应用。

UnitedSiC宣布推出适用大型反激式AC-DC的SiC JFET晶片

控制器IC制造商可受益于较小的晶片尺寸,并具有极低RDS(ON)和电容。常导通型JFET在与控制器IC中集成的低Qg低压MOSFET配合使用时,有助于满足轻载和空载下功率消耗的相关法规。

SiC JFET在应对重复的雪崩和短路时具有非常强大的能力,使SiC共源共栅在实用中非常稳健。SiC JFET与控制IC中的LV MOSFET串联连接,常导通型JFET的源极电压在JFET关断之前升至12V,IC开始切换。经过JFET的电流路径可以用作控制器IC的启动电源。在转换器开始工作后,来自转换器变压器的辅助电源被门控(gated-in),没有进一步的功率损耗。

典型的低功率反激式应用包括笔记本电脑和移动设备充电器(20~65 W)等消费类电子辅助设备,其他应用还包括工业应用(如电机驱动)的宽输入(高达1400V)反激辅助电源,以及长LED串等高功率照明应用。

UnitedSiC首席执行官Chris Dries表示:“随着这些新型SiC JFET的推出,UnitedSiC现在已经位居业内拥有最广泛SiC功率产品组合厂商之列,我们能够通过晶片和分立封装形式来提供高性能JFET功能。”

供货信息

目前仅有UnitedSiC能够提供七种晶片可供选择,电压额定值为从650~1700V,RDS(ON)值低至140mΩ,晶片具备三种尺寸,可小至0.8 mm x 0.8mm,以便于实现共同封装。

  APEC 2019

  美国加州Anaheim,2019年3月17-21日

  332展位

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